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酸化亜鉛ナノロッドCVD合成装置

MPCVD-ZnO

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MPCVD-ZnO

※実際の商品は写真と一部異なる場合があります。

目 的: ZnOナノロッドを基板上に成長させる管状炉タイプ(φ30㎜)の熱CVD装置です。
特 徴:
  • ・当社独自の生成原理に基づく装置設計とプロセス条件設定
  • ・サファイア、シリコン基板に垂直配向ZnOナノロッドが成長可能

 酸素ガスを供給しながらZn原料を加熱して蒸発させると、Zn蒸気と酸素ガスと反応し、ZnOが生成されます。 六方晶のZnOは、そのC軸の成長速度が非常に速いため、結果としてロッド状に成長します。一方、ZnOのC面の結晶格子定数が サファイア基板やシリコン基板の結晶格子定数に近いため、エピタキシャル成長により、ZnOのC面(C軸と垂直)が基板に平行 になりやすい。つまり、ロッドが基板に垂直に成長することになります。

 

 Au薄膜を基板に成膜するとナノロッドがより成長しやすいことが知られています。これは、他の繊維状物質 (CNT、Auナノワイヤー、SICウイスカーなど)と同じように、VLS成長機構に起因する現象です。この現象により、サファイア 以外の基板にも、ナノロッドが成長できるようになります。

ZnOナノロッド(1段ロッド)
ZnOナノロッド(1段ロッド)
ZnOナノウィスカー
ZnOナノウィスカー
ZnOナノロッド(2段ロッド)
ZnOナノロッド(2段ロッド)
ZnOナノロッド(3段ロッド)
ZnOナノロッド(3段ロッド)

主な仕様

基本構成 管状炉 常用使用温度 400~1000℃
温度制御 1ゾーン プログラム付温度調節計
外形寸法 W300㎜×H200㎜×D186㎜
電気容量 500W
炉心管 材質 石英
サイズ OD30㎜×ID26㎜×L750㎜
ガス制御 面積式流量計
導入ガス種 キャリアガス:N2 or Ar
酸化ガス:O2
真空計 ブルドン管真空計
排気ポンプ ロータリーポンプ
外形寸法 W156㎜×H200㎜×D300㎜
Zn原料導入ボート
外形寸法 W900㎜×H600㎜×D500㎜