QLOOKアクセス解析
ホーム > 製品情報 > CVD合成装置 > グラフェンCVD成膜装置

グラフェンCVD成膜装置

MPCVD-Graphene 炉のスライド移動による急冷機構を搭載

価格はお問合わせ

加熱時(スライド移動前)

MPCVD-Graphene

冷却時(スライド移動後)

MPCVD-Graphene

※実際の商品は写真と一部異なる場合があります。

目 的: グラフェン膜を合成するための管状炉(50㎜φ)タイプの熱CVD装置です。
特 徴:
  • ・炉のスライド移動機構を搭載、サンプルの急加熱/急冷が可能
  •                      
  • ・オプションで、モータ駆動による自動スライド機能も追加可能
  •                      
  • ・オプションで、ターボ排気ポンプの追加により、さらに高品質のグラフェンが成膜可能
  • ・熱電対センサーを炉内に導入、試料温度を直接モニター可能
  • ・3系統のマスフローガス流量制御系、正確なガス制御が可能
  • ・コンパクトでしっかりした筐体設計、卓上実験台などに簡単設置

 炭化水素ガス(CH4やC2H2)を用いたCVD法で触媒基板(Ni、Cuなど)にグラフェン膜を成長するには、 基板の急冷が重要要素の一つと言われています。

 本装置には、炉心管がそのままで、加熱部だけをスライド移動できるような機構が設けられています。 このスライド機構により、炉のホットゾーンをサンプル位置から素早く外すことができ、サンプルの急冷が可能になります。 また、オプションで高真空排気システムを搭載することにより、より広い面積の単層グラフェン膜が容易に成膜できます。

高真空排気系(オプション)を併用して成膜された単層グラフェン/Niの光顕像

高真空グラフェン光顕像.jpg

高真空排気系(オプション)を併用して成膜された単層グラフェン/Niのラマンスペクトル

高真空グラフェン ラマンスペクトル.TIF

主な仕様

基本構成 管状炉 常用使用温度 400~1000℃
炉内寸法 60㎜φ×L260㎜
温度制御 1ゾーン プログラム付温度調節計
外形寸法 W300㎜×H200㎜×D186㎜
電気容量 700W
炉心管 材質 石英
サイズ OD50㎜×ID46㎜×L1200㎜
ガス制御 マスフローコントローラ
導入ガス種 キャリアガス:N2 or Ar
還元ガス:H2
炭化水素ガス:C2H2 or C2H4 or CH4
真空計 ブルドン管真空計
排気ポンプ ロータリーポンプ
液体原料導入システム
炉心管内測定用熱電対
急冷用スライド機構(スライド距離:250㎜)
外形寸法 W1400㎜×H1000㎜×D500㎜