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汎用熱CVD装置

MPCVD-50 CNT合成、カーボン成膜、窒化、カルコゲナイド成膜等に

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MPCVD-50

※実際の商品は写真と一部異なる場合があります。

目 的: 粉末タイプCNT及び垂直配向CNTを合成したり、粉体試料へのカーボン成膜したりするための管状炉タイプ熱CVD装置です。 また、アンモニアなどの他のCVD反応ガスの導入ユニットや、昇華系固体や液体前駆体の導入ユニットを追加することにより、窒化処理、カルコゲナイド(二硫化モリブデンMoS2など)層状物質の成膜などにも応用できます。
特 徴:
  • ・触媒前駆体供給機構を搭載、長尺(~500μm)CNTの生成が可能。
  • ・液体(エタノール)導入系を搭載、SWCNTの合成に有効。
  • ・3系統のマスフローガス流量制御系、正確なガス制御が可能。
  • ・コンパクトでしっかりとした筐体設計、卓上実験台などに簡単設置。

 石英管状炉(50mmφ)を用いたCNT生成用CVD装置です。 垂直配向CNTおよび粉末タイプCNTの生成に適して おり、 温度斑が少なく、垂直配向CNT膜成長の場合はCNT膜厚の高い均一性が得られます。粉末タイプCNT生成の場合は、1 プロセスで数グラムの収量が得られます。

 炭化水素原料ガスとエタノール液体原料の導入システムをそれぞれ備えました。エタノールと炭化水素は それぞれに特徴があり、原料種類によって生成されるCNTの素性も違ってくる場合が多いので、目的に応じて、エタノールと 炭化水素ガスを任意に切り替えれば、様々な要求に対応することができます。

 また、真空排気系が付いていますので、真空炉、雰囲気炉、他のCVD装置としても兼用できます。

 生成されたCNTは、他社各社のCNT製品(産総研のスーパーグロースCNTを除く)の数10倍~数100倍の長さ (数百μm)を有し、導電や補強効果が高いことが特徴です。

MPCVD-50

MPCVD-50 構成図

長尺CNT/Si
長尺CNT/SiのSEM画像
粉末CNTのSEM画像
粉末CNTのSEM画像

主な仕様

基本構成 管状炉 常用使用温度 400~1000℃
炉内寸法 60㎜φ×L260㎜
温度制御 1ゾーン プログラム付温度調節計
外形寸法 W300㎜×H200㎜×D186㎜
電気容量 700W
炉心管 材質 石英
サイズ OD50㎜×ID46㎜×L900㎜
ガス制御 マスフローコントローラ
導入ガス種 キャリアガス:N2 or Ar
還元ガス:H2
炭化水素ガス:C2H2 or C2H4 or CH4
真空計 ブルドン管真空計
排気ポンプ ロータリーポンプ
外形寸法 W156㎜×H200㎜×D300㎜
液体原料導入システム
触媒前駆体導入機構
外形寸法 W1100㎜×H1000㎜×D500㎜
  MPCVD-50 カタログ