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卓上CNT合成装置

MPCNT-Basic

----- 180万円~
MPCNT-Basic

※実際の商品は写真と一部異なる場合があります。

目 的: エタノールを原料とし、各種基板表面に垂直配向カーボンナノチューブを合成する装置です。
特 徴:
  • ・エタノールを反応原料として使用 → 可燃性炭化水素ガスボンベは不要
  • ・CNT成長時間はわずか数分間 → トータルのプロセス時間は30分未満
  • ・PCの大きさで、どこでも設置・使用可能
  • ・手軽、廉価、高品質CNT → 学生実験の教材としても利用可

 エタノールはカーボンナノチューブの生成にとって非常に都合のいい原料の一つです。SWCNTや結晶性の 高いCNTが生成されやすい。 また、炭化水素ガスより低い温度で分解し、触媒の還元作用と反応性が強いため、SUSやNiCu などバルク合金材料の中の触媒元素(Ni,Fe,Co)を触媒作用を有するナノ粒子として析出させることができ、そのままカー ボンナノチューブあるいはカーボンナノファイバーに成長することが可能です。

 各種基板(シリコン、石英、ステンレス、金属、セラミックスなど)や担体に、結晶性の高い垂直配向 カーボンナノチューブが成長できます。コンパクトサイズで操作も簡単、全プロセスはわずか20-30分で完了します。また、 透明ガラスチャンバーの使用により、CNT生成の瞬間を目視できます。

 なお、配向CNTを成長させるには、一部のNiやFeなどの合金基板を除いて、一般的にサンプル基板に触媒 膜を事前に成膜しておく必要があります。弊社から消耗品として触媒膜付き基板をご提供できますし、お客様自身の成膜装 置でも触媒成膜できます。 また、触媒形成からCNT成長までの自己完結システムをご希望の場合は MPCNT-Premium高機能真空蒸着装置を推奨しております。

[動画] Si基板上への垂直配向CNTの成長の様子 とCNTのSEM像(下図)

配向CNT?SEM2.bmp
NiCu上に成長したCNT

NiCu合金に直接成長したCNT。基板中のNi成分がCNTの触媒として働くため、この場合触媒の事前成膜は不要です。

主な仕様

基本構成 本体 パイレックス製チャンバー
パージガス導入ライン
排気ポンプライン
リークライン
真空計
電流導入端子ポート
外形寸法:W400㎜×H300㎜×D265㎜
\1,800,000~
ヒーター 25㎜×40㎜
常用使用温度:400~800℃
電源 定格出力電力:400W
AC90-250V 単相50-60Hz
外形寸法:W110㎜×H130㎜×D405㎜
排気ポンプ ロータリーポンプ
外形寸法:W156㎜×H200㎜×D300㎜
液体燃料用るつぼ
オプション 放射温度計セット \280,000-
  MPCNT-Basic カタログ