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垂直配向CNT基板

金属・セラミックス基板への配向CNT 


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 垂直配向CNTは、金属やセラミックスなどの耐熱基板に触媒を成膜し、炭素源CVDガス中で基板を650-800℃ 加熱して作製されます。面直方向に電気や熱を指向的に伝えることができるユニークな構造を持ち、比表面積も大きく、電界 放射エミッター、バイオセンサー、各種電極板、キャパシター電極、燃料電池電極、リチウムイオン電池集電板など、多くの 用途が考えられています。また、柔らかい表面構造を有するため、低い接触圧でも低接触抵抗が得られる特徴があります。

 垂直配向CNT基板のサンプル提供(有償)や、ご希望の基板に垂直配向CNTを成長させるサンプルの試作を承 っております。平面基板だけでなく、メッシュ、繊維など、様々な3次元形状の基材にも成長できます。また、マスクパターン へのCNT選択成長、ハニカムCNT膜の作製など、さまざまなご要望にお応えしております。

■VACNT/Substrate (垂直配向CNT基板)


対象基材: 650℃以上の耐熱性基材;
ex...シリコン・石英・ステンレス・チタン・銅・アルミ・セラミックス(シリカ・アルミナ・ジルコニア・チタニア・サファイア・・・)

積層配向CNT 配向CNTの上に、配向CNTをもう一回積層成長させた厚膜CNT
配向CNT 基板表面組成のパターン化および触媒膜のパターン化により異なる長さの配向CNTを選択成長させた例
配向CNT 金属メッシュに配向CNTを成長し、メッシュの隙間を狭く制御した例
カーボンブラックファイバー 配向CNT膜を溶液処理して得られたハニカム構造;CNTウォールが形成される