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卓上CNT/グラフェン成膜装置

MPCNT-Premium  CNTやグラフェンが簡単に作製できるCVD装置

----- 280万円~
MPCNT-Premium

※実際の商品は写真と一部異なる場合があります。

目 的: 垂直配向CNTやグラフェン膜を簡単に合成するための廉価な卓上CVD装置です。
特 徴:
  • ・エタノール及び炭化水素ガスを任意に切り替えることが可能
  • ・ヒータの温度モニター用放射温度計を搭載
  •                      
  • ・基板ヒーターの急速加熱および急冷(数秒以内)が可能で、グラフェン成膜に最適
  • ・触媒前駆体の加熱昇華機構を搭載
  • ・粉末タイプ及び垂直配向タイプCNTが成長可能
  • ・1g以上/ロットの粉末タイプCNTが生成可能
  • ・最長数㎜の長尺CNTが成長可能

 MPCNT-Basicバージョンを拡張し、フィラメント加熱機構や マルチガス導入機構など、優れた機能を追加 した小型CNT合成装置です。エタノール原料はもちろん、アセチレンガスやメタンガスなどの炭化水素原料ガスと、H2還元ガス の導入ポートも標準装備し、垂直配向CNTおよび粉末タイプCNTの生成を可能にしました。

 触媒前駆体をフィラメント加熱機構で事前に加熱昇華させることにより、基板や担体(Si、石英、セラミッ クスなど)に触媒をその場で担持させることができ、別途触媒作製プロセスが原則不要になります。つまり、触媒の形成とCNT の生成を同一装置で同時に実現した自己完結型のCNT合成装置です。

 また、このフィラメント加熱機構にはCNTの成長促進効果があり、最長で数㎜の長尺CNTの生成も可能になり ます。生成されたCNTは、他社各社のCNT製品(産総研のスーパーグロースCNTを除く)の数10倍~数100倍の長さを有し、導電 や補強効果が高いことが特徴です。

MPCNT-Premium

エタノールや炭化水素ガス雰囲気中で、触媒前駆体を加熱昇華させながら基板や触媒担体を加熱す ると、
基板や担体の表面に触媒が担持されるとともに、CNTが同時に成長します。

[動画] 長尺CNT粉体 成長の様子

CNT/Si
シリコン基板に成長した長尺配向CNT膜
(CNT長さは約2㎜)の断面SEM写真
粉末CNT
粉末カーボンナノチューブ
  • Ni粒子表面に成膜したグラフェン(コアシェル構造)のラマンスペクトル
  • Raman(Alps).jpg

    主な仕様

    基本構成 本体 パイレックス製チャンバー
    パージガス導入ライン
    排気ポンプライン
    リークライン
    真空計
    電流導入端子ポート
    外形寸法:W400㎜×H360㎜×D265㎜
    \2,800,000~
    マルチポート ガス導入ライン_3本
    基板ヒーター 25㎜×40㎜
    常用使用温度:400~800℃
    フィラメントヒーター 常用使用温度:1000℃以下
    ヒーター用電源 基板/フィラメントヒーター用各1台(仕様共通)
     定格出力電力:400W
     AC90-250V 単相50-60Hz
     外形寸法:W110㎜×H130㎜×D405㎜
    排気ポンプ ロータリーポンプ
    外形寸法:W156㎜×H200㎜×D300㎜
    放射温度計 固定式ファイバ型放射温度計
    液体燃料用るつぼ
    オプション ガス流量計 導入ガス種:3種類
     パージガス [N2 or Ar]
     還元ガス [H2]
     炭化水素ガス [CH4 or C2H4 or C2H2]
     (変更可能)
      MPCNT-Premium カタログ